
на замовлення 3044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.29 грн |
10+ | 62.54 грн |
100+ | 37.65 грн |
500+ | 31.48 грн |
1000+ | 26.79 грн |
3000+ | 23.85 грн |
6000+ | 22.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS12500UW3T2G onsemi
Description: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 875 mW.
Інші пропозиції NSS12500UW3T2G за ціною від 27.34 грн до 102.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSS12500UW3T2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 875 mW |
на замовлення 3098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
NSS12500UW3T2G |
![]() |
на замовлення 647 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
NSS12500UW3T2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NSS12500UW3T2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 875 mW |
товару немає в наявності |