Продукція > ONSEMI > NSS12501UW3T2G
NSS12501UW3T2G

NSS12501UW3T2G onsemi

nss12501uw3-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.05 грн
6000+20.58 грн
9000+19.75 грн
15000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS12501UW3T2G onsemi

Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 875 mW.

Інші пропозиції NSS12501UW3T2G за ціною від 19.09 грн до 93.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSS12501UW3T2G NSS12501UW3T2G onsemi nss12501uw3-d.pdf Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 38984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+54.12 грн
100+35.81 грн
500+26.22 грн
1000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G NSS12501UW3T2G onsemi NSS12501UW3-D.PDF Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.48 грн
10+46.23 грн
100+34.21 грн
500+26.75 грн
1000+24.25 грн
3000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G nss12501uw3-d.pdf
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G nss12501uw3-d.pdf
NSS12501UW3T2G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 38984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.35 грн
10+54.12 грн
100+35.81 грн
500+26.22 грн
1000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G NSS12501UW3-D.PDF
NSS12501UW3T2G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.48 грн
10+46.23 грн
100+34.21 грн
500+26.75 грн
1000+24.25 грн
3000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G nss12501uw3-d.pdf
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.