Продукція > ONSEMI > NSS12501UW3T2G
NSS12501UW3T2G

NSS12501UW3T2G onsemi

nss12501uw3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.40 грн
6000+22.68 грн
9000+21.77 грн
15000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS12501UW3T2G onsemi

Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 875 mW.

Інші пропозиції NSS12501UW3T2G за ціною від 21.88 грн до 107.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS12501UW3T2G NSS12501UW3T2G Виробник : onsemi nss12501uw3-d.pdf Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 38984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.48 грн
10+59.64 грн
100+39.46 грн
500+28.90 грн
1000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G NSS12501UW3T2G Виробник : onsemi NSS12501UW3-D.PDF Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.14 грн
10+52.99 грн
100+39.21 грн
500+30.67 грн
1000+27.79 грн
3000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G nss12501uw3-d.pdf
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G NSS12501UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss12501uw3-d.pdf Trans GP BJT NPN 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.