Продукція > ONSEMI > NSS12501UW3T2G
NSS12501UW3T2G

NSS12501UW3T2G onsemi

nss12501uw3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.35 грн
6000+23.52 грн
9000+22.58 грн
15000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS12501UW3T2G onsemi

Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 875 mW.

Інші пропозиції NSS12501UW3T2G за ціною від 21.94 грн до 101.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS12501UW3T2G NSS12501UW3T2G Виробник : onsemi NSS12501UW3_D-1813851.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.90 грн
10+38.74 грн
100+29.72 грн
500+26.13 грн
1000+23.34 грн
3000+22.31 грн
6000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G NSS12501UW3T2G Виробник : onsemi nss12501uw3-d.pdf Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 39723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.62 грн
10+61.85 грн
100+40.94 грн
500+29.98 грн
1000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G nss12501uw3-d.pdf
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G NSS12501UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss12501uw3-d.pdf Trans GP BJT NPN 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.