Продукція > ONSEMI > NSS1C200LT1G
NSS1C200LT1G

NSS1C200LT1G onsemi

nss1c200l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.94 грн
6000+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C200LT1G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 490 mW.

Інші пропозиції NSS1C200LT1G за ціною від 8.02 грн до 32.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G Виробник : onsemi NSS1C200L_D-2318266.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
на замовлення 47420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.62 грн
12+ 25.98 грн
100+ 15.9 грн
500+ 12.46 грн
1000+ 9.94 грн
3000+ 8.28 грн
9000+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G Виробник : onsemi nss1c200l-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 7211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.25 грн
11+ 26.71 грн
100+ 18.57 грн
500+ 13.6 грн
1000+ 11.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSS1C200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c200l-d.pdf
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G Виробник : ON Semiconductor 387674346603852nss1c200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній