Продукція > ONSEMI > NSS1C200LT1G
NSS1C200LT1G

NSS1C200LT1G onsemi


nss1c200l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.25 грн
6000+11.70 грн
9000+11.15 грн
15000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C200LT1G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 490 mW.

Інші пропозиції NSS1C200LT1G за ціною від 9.83 грн до 56.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G Виробник : onsemi NSS1C200L_D-1813488.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
на замовлення 46464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.62 грн
14+24.12 грн
100+15.23 грн
250+13.64 грн
500+11.56 грн
1000+10.94 грн
3000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G Виробник : onsemi nss1c200l-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 20426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.07 грн
10+33.60 грн
100+21.71 грн
500+15.53 грн
1000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c200l-d.pdf
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.