Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSS1C200LT1G
NSS1C200LT1G

NSS1C200LT1G ON Semiconductor

387674346603852nss1c200l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C200LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 490 mW.

Інші пропозиції NSS1C200LT1G за ціною від 10.09 грн до 57.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G Виробник : onsemi nss1c200l-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.51 грн
6000+11.92 грн
9000+11.37 грн
15000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G Виробник : onsemi NSS1C200L_D-2318266.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
на замовлення 47124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.29 грн
11+33.34 грн
100+19.23 грн
500+14.16 грн
1000+13.58 грн
3000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G Виробник : onsemi nss1c200l-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 20426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.16 грн
10+34.25 грн
100+22.13 грн
500+15.83 грн
1000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c200l-d.pdf
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.