Продукція > ONSEMI > NSS1C200LT1G
NSS1C200LT1G

NSS1C200LT1G onsemi

nss1c200l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.48 грн
6000+11.89 грн
9000+11.34 грн
15000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C200LT1G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 490 mW.

Інші пропозиції NSS1C200LT1G за ціною від 10.66 грн до 57.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G onsemi NSS1C200L_D-1813488.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
на замовлення 46464 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
9+38.63 грн
12+26.16 грн
100+16.52 грн
250+14.79 грн
500+12.54 грн
1000+11.86 грн
3000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G onsemi nss1c200l-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 20426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.01 грн
10+34.16 грн
100+22.07 грн
500+15.79 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G ON Semiconductor nss1c200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.16 грн
17+47.50 грн
25+45.43 грн
100+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G ON Semiconductor nss1c200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G NSS1C200L_D-1813488.pdf
NSS1C200LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
на замовлення 46464 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.63 грн
12+26.16 грн
100+16.52 грн
250+14.79 грн
500+12.54 грн
1000+11.86 грн
3000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G nss1c200l-d.pdf
NSS1C200LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 20426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.01 грн
10+34.16 грн
100+22.07 грн
500+15.79 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G nss1c200l-d.pdf
NSS1C200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+57.16 грн
17+47.50 грн
25+45.43 грн
100+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G nss1c200l-d.pdf
NSS1C200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.