Продукція > ONSEMI > NSS1C200LT1G
NSS1C200LT1G

NSS1C200LT1G onsemi

nss1c200l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Power - Max: 490 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.49 грн
6000+11.91 грн
9000+11.36 грн
15000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C200LT1G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3, Power - Max: 490 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NSS1C200LT1G за ціною від 10.01 грн до 57.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G onsemi NSS1C200L_D-1813488.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
на замовлення 46464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.26 грн
14+24.56 грн
100+15.51 грн
250+13.89 грн
500+11.77 грн
1000+11.14 грн
3000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G onsemi nss1c200l-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Power - Max: 490 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.09 грн
10+34.21 грн
100+22.11 грн
500+15.81 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G ON Semiconductor nss1c200l-d.pdf
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G NSS1C200L_D-1813488.pdf
NSS1C200LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
на замовлення 46464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+36.26 грн
14+24.56 грн
100+15.51 грн
250+13.89 грн
500+11.77 грн
1000+11.14 грн
3000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G nss1c200l-d.pdf
NSS1C200LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Power - Max: 490 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.09 грн
10+34.21 грн
100+22.11 грн
500+15.81 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1G nss1c200l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.