Продукція > ONSEMI > NSS1C200MZ4T1G
NSS1C200MZ4T1G

NSS1C200MZ4T1G onsemi

nss1c200mz4-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+17.96 грн
2000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C200MZ4T1G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NSS1C200MZ4T1G за ціною від 14.63 грн до 47.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G onsemi NSS1C200MZ4_D-2318780.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 129-138 дні (днів)
7+47.01 грн
10+40.76 грн
100+27.50 грн
500+22.01 грн
1000+17.65 грн
2000+15.19 грн
10000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G onsemi nss1c200mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.47 грн
10+39.16 грн
100+27.25 грн
500+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G ON Semiconductor nss1c200mz4-d.pdf
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4_D-2318780.pdf
NSS1C200MZ4T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 129-138 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.01 грн
10+40.76 грн
100+27.50 грн
500+22.01 грн
1000+17.65 грн
2000+15.19 грн
10000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G nss1c200mz4-d.pdf
NSS1C200MZ4T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.47 грн
10+39.16 грн
100+27.25 грн
500+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G nss1c200mz4-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.