Продукція > ONSEMI > NSS1C200MZ4T1G
NSS1C200MZ4T1G

NSS1C200MZ4T1G onsemi

nss1c200mz4-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+17.47 грн
2000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C200MZ4T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NSS1C200MZ4T1G за ціною від 19.43 грн до 56.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G onsemi nss1c200mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.18 грн
10+38.10 грн
100+26.51 грн
500+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G ON Semiconductor nss1c200mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+49.07 грн
363+38.75 грн
365+38.56 грн
500+28.92 грн
1000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 287 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G ON Semiconductor nss1c200mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.16 грн
16+49.56 грн
25+49.07 грн
100+37.36 грн
250+34.43 грн
500+25.71 грн
1000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G onsemi NSS1C200MZ4_D-2318780.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 129-138 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G ONSEMI 1925060.pdf Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G ONSEMI 1925060.pdf Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G ON Semiconductor nss1c200mz4-d.pdf
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G nss1c200mz4-d.pdf
NSS1C200MZ4T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.18 грн
10+38.10 грн
100+26.51 грн
500+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G nss1c200mz4-d.pdf
NSS1C200MZ4T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
287+49.07 грн
363+38.75 грн
365+38.56 грн
500+28.92 грн
1000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 287 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G nss1c200mz4-d.pdf
NSS1C200MZ4T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.16 грн
16+49.56 грн
25+49.07 грн
100+37.36 грн
250+34.43 грн
500+25.71 грн
1000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4_D-2318780.pdf
NSS1C200MZ4T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 129-138 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G 1925060.pdf
NSS1C200MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G 1925060.pdf
NSS1C200MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1G nss1c200mz4-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.