NSS1C200MZ4T3G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Bulk
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS1C200MZ4T3G onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223, Packaging: Bulk, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA.
Інші пропозиції NSS1C200MZ4T3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSS1C200MZ4T3G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP BIP POWER TRAN SOT223 |
на замовлення 4280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSS1C200MZ4T3G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP BIP POWER TRAN SOT223
Bipolar Transistors - BJT PNP BIP POWER TRAN SOT223
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)