Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSS1C201LT1G
NSS1C201LT1G

NSS1C201LT1G ON Semiconductor

nss1c201l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C201LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 490mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NSS1C201LT1G за ціною від 7.45 грн до 45.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.08 грн
6000+9.77 грн
9000+9.67 грн
15000+8.95 грн
21000+8.21 грн
30000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.11 грн
6000+9.80 грн
9000+9.69 грн
15000+8.98 грн
21000+8.24 грн
30000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Power - Max: 490 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.44 грн
6000+9.18 грн
9000+8.74 грн
15000+7.73 грн
21000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2950+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 2950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2950+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 2950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.02 грн
6000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+16.25 грн
1105+12.72 грн
1145+12.28 грн
1156+11.72 грн
1168+10.75 грн
3000+9.60 грн
6000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.90 грн
46+16.41 грн
47+16.25 грн
100+12.26 грн
250+10.96 грн
500+10.42 грн
1000+10.32 грн
3000+9.60 грн
6000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Power - Max: 490 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.41 грн
11+27.05 грн
100+17.35 грн
500+12.33 грн
1000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G onsemi NSS1C201L-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23
на замовлення 73940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ONSEMI nss1c201l-d.pdf Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 490mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ONSEMI nss1c201l-d.pdf Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 490mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.08 грн
6000+9.77 грн
9000+9.67 грн
15000+8.95 грн
21000+8.21 грн
30000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.11 грн
6000+9.80 грн
9000+9.69 грн
15000+8.98 грн
21000+8.24 грн
30000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Power - Max: 490 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.44 грн
6000+9.18 грн
9000+8.74 грн
15000+7.73 грн
21000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2950+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 2950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2950+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 2950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.02 грн
6000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
865+16.25 грн
1105+12.72 грн
1145+12.28 грн
1156+11.72 грн
1168+10.75 грн
3000+9.60 грн
6000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+44.90 грн
46+16.41 грн
47+16.25 грн
100+12.26 грн
250+10.96 грн
500+10.42 грн
1000+10.32 грн
3000+9.60 грн
6000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Power - Max: 490 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.41 грн
11+27.05 грн
100+17.35 грн
500+12.33 грн
1000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201L-D.PDF
NSS1C201LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23
на замовлення 73940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 490mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 490mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.