Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSS1C201LT1G
NSS1C201LT1G

NSS1C201LT1G ON Semiconductor

nss1c201l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C201LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSS1C201LT1G за ціною від 6.79 грн до 48.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.77 грн
6000+8.50 грн
9000+8.41 грн
15000+7.79 грн
21000+7.15 грн
30000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.43 грн
6000+9.14 грн
9000+9.04 грн
15000+8.37 грн
21000+7.68 грн
30000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2950+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 2950
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2950+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 2950
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.07 грн
6000+9.73 грн
9000+9.26 грн
15000+8.20 грн
21000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.33 грн
6000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ONSEMI 2237006.pdf Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.21 грн
500+11.79 грн
1500+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
865+14.15 грн
1105+11.07 грн
1145+10.69 грн
1156+10.21 грн
1168+9.35 грн
3000+8.36 грн
6000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 865
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ONSEMI 2237006.pdf Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.23 грн
50+25.40 грн
100+17.27 грн
500+12.89 грн
1500+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+41.88 грн
46+15.31 грн
47+15.16 грн
100+11.44 грн
250+10.23 грн
500+9.72 грн
1000+9.62 грн
3000+8.96 грн
6000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : onsemi NSS1C201L_D-1813489.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23
на замовлення 77846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.63 грн
13+27.42 грн
100+15.09 грн
500+11.85 грн
1000+10.11 грн
3000+8.45 грн
6000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 22749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.16 грн
11+28.69 грн
100+18.40 грн
500+13.08 грн
1000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.