NSS1C201LT1G ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS1C201LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NSS1C201LT1G за ціною від 7.19 грн до 45.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSS1C201LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NSS1C201LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NSS1C201LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NSS1C201LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 490 mW |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NSS1C201LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NSS1C201LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NSS1C201LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NSS1C201LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NSS1C201LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NSS1C201LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23 |
на замовлення 73940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NSS1C201LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NSS1C201LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NSS1C201LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 490 mW |
на замовлення 22749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NSS1C201LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| NSS1C201LT1G |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |