Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSS1C201LT1G
NSS1C201LT1G

NSS1C201LT1G ON Semiconductor

nss1c201l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C201LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSS1C201LT1G за ціною від 7.03 грн до 50.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.09 грн
6000+8.81 грн
9000+8.72 грн
15000+8.07 грн
21000+7.41 грн
30000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.77 грн
6000+9.47 грн
9000+9.37 грн
15000+8.68 грн
21000+7.96 грн
30000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2950+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 2950
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2950+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 2950
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.60 грн
6000+10.20 грн
9000+9.71 грн
15000+8.59 грн
21000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.74 грн
6000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ONSEMI 2237006.pdf Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.84 грн
500+12.36 грн
1500+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
865+14.66 грн
1105+11.47 грн
1145+11.07 грн
1156+10.57 грн
1168+9.69 грн
3000+8.66 грн
6000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 865
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ONSEMI 2237006.pdf Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+43.21 грн
50+26.62 грн
100+18.10 грн
500+13.51 грн
1500+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+43.39 грн
46+15.86 грн
47+15.70 грн
100+11.85 грн
250+10.59 грн
500+10.07 грн
1000+9.97 грн
3000+9.28 грн
6000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : onsemi NSS1C201L-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23
на замовлення 73940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.65 грн
14+27.29 грн
100+14.40 грн
500+11.94 грн
1000+10.20 грн
3000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 22749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.48 грн
11+30.07 грн
100+19.29 грн
500+13.71 грн
1000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.