Продукція > ONSEMI > NSS1C201MZ4T1G
NSS1C201MZ4T1G

NSS1C201MZ4T1G onsemi

nss1c201mz4-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+18.31 грн
2000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C201MZ4T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSS1C201MZ4T1G за ціною від 19.42 грн до 71.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+62.03 грн
297+47.54 грн
300+47.07 грн
500+35.73 грн
1000+26.31 грн
3000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G onsemi nss1c201mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.82 грн
10+41.35 грн
100+26.91 грн
500+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.40 грн
13+62.63 грн
25+62.03 грн
100+45.84 грн
250+42.03 грн
500+31.76 грн
1000+25.26 грн
3000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G onsemi NSS1C201MZ4_D-2318371.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans.
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G ONSEMI nss1c201mz4-d.pdf Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G ONSEMI ONSM-S-A0013299822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
NSS1C201MZ4T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
228+62.03 грн
297+47.54 грн
300+47.07 грн
500+35.73 грн
1000+26.31 грн
3000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
NSS1C201MZ4T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.82 грн
10+41.35 грн
100+26.91 грн
500+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
NSS1C201MZ4T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.40 грн
13+62.63 грн
25+62.03 грн
100+45.84 грн
250+42.03 грн
500+31.76 грн
1000+25.26 грн
3000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4_D-2318371.pdf
NSS1C201MZ4T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans.
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
NSS1C201MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G ONSM-S-A0013299822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSS1C201MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.