NSS1C201MZ4T1G ON Semiconductor
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 13.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS1C201MZ4T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції NSS1C201MZ4T1G за ціною від 13.52 грн до 62.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSS1C201MZ4T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 9388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans. |
на замовлення 6533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |