Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSS1C201MZ4T1G
NSS1C201MZ4T1G

NSS1C201MZ4T1G ON Semiconductor

nss1c201mz4-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C201MZ4T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSS1C201MZ4T1G за ціною від 15.28 грн до 66.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : onsemi nss1c201mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.70 грн
2000+16.10 грн
5000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.90 грн
500+30.81 грн
1000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : onsemi nss1c201mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 9388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.79 грн
10+40.80 грн
100+28.38 грн
500+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+53.76 грн
297+41.20 грн
300+40.79 грн
500+30.96 грн
1000+22.80 грн
3000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : ONSEMI nss1c201mz4-d.pdf Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.76 грн
18+48.67 грн
100+29.97 грн
500+22.17 грн
1000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : onsemi NSS1C201MZ4_D-2318371.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans.
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.53 грн
10+56.06 грн
100+37.35 грн
500+29.58 грн
1000+23.62 грн
2000+21.36 грн
10000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+66.30 грн
13+58.16 грн
25+57.60 грн
100+42.57 грн
250+39.02 грн
500+29.49 грн
1000+23.45 грн
3000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1G Виробник : Diodes Incorporated nss1c201mz4-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.