Продукція > ONSEMI > NSS1C201MZ4T3G
NSS1C201MZ4T3G

NSS1C201MZ4T3G onsemi

nss1c201mz4-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C201MZ4T3G onsemi

Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції NSS1C201MZ4T3G за ціною від 10.95 грн до 41.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSS1C201MZ4T3G NSS1C201MZ4T3G onsemi nss1c201mz4-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA NPN
на замовлення 16524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.64 грн
11+30.50 грн
100+18.32 грн
500+15.29 грн
1000+12.05 грн
4000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3G NSS1C201MZ4T3G onsemi nss1c201mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.07 грн
10+33.43 грн
100+23.21 грн
500+17.01 грн
1000+13.83 грн
2000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3G nss1c201mz4-d.pdf
NSS1C201MZ4T3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA NPN
на замовлення 16524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+36.64 грн
11+30.50 грн
100+18.32 грн
500+15.29 грн
1000+12.05 грн
4000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3G nss1c201mz4-d.pdf
NSS1C201MZ4T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.07 грн
10+33.43 грн
100+23.21 грн
500+17.01 грн
1000+13.83 грн
2000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.