Продукція > ONSEMI > NSS1C300CTWG
NSS1C300CTWG

NSS1C300CTWG ONSEMI


Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+49.09 грн
500+35.73 грн
1000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C300CTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: LFPAK, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: e2PowerEdge Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NSS1C300CTWG за ціною від 22.62 грн до 116.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS1C300CTWG NSS1C300CTWG onsemi NSV1C300CT_D-3538009.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V LFPAK4
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.72 грн
10+66.79 грн
100+38.48 грн
500+30.45 грн
1000+28.33 грн
3000+24.03 грн
6000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWG NSS1C300CTWG ONSEMI Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.77 грн
12+73.76 грн
100+49.09 грн
500+35.73 грн
1000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWG NSV1C300CT_D-3538009.pdf
NSS1C300CTWG
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V LFPAK4
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+107.72 грн
10+66.79 грн
100+38.48 грн
500+30.45 грн
1000+28.33 грн
3000+24.03 грн
6000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWG
NSS1C300CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+116.77 грн
12+73.76 грн
100+49.09 грн
500+35.73 грн
1000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.