Продукція > ONSEMI > NSS1C300ET4G

NSS1C300ET4G onsemi


nss1c300e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+25.63 грн
5000+22.86 грн
7500+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C300ET4G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK, Power - Max: 2.1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: DPAK, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NSS1C300ET4G за ціною від 20.51 грн до 100.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSS1C300ET4G NSS1C300ET4G onsemi nss1c300e-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.74 грн
10+58.49 грн
100+38.80 грн
500+28.48 грн
1000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4G NSS1C300ET4G onsemi NSS1C300E-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) PNP Transistor
на замовлення 6562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.32 грн
10+62.25 грн
100+35.95 грн
500+28.12 грн
1000+25.59 грн
2500+22.77 грн
5000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4G ON Semiconductor nss1c300e-d.pdf
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4G nss1c300e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+96.74 грн
10+58.49 грн
100+38.80 грн
500+28.48 грн
1000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4G NSS1C300E-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) PNP Transistor
на замовлення 6562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.32 грн
10+62.25 грн
100+35.95 грн
500+28.12 грн
1000+25.59 грн
2500+22.77 грн
5000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4G nss1c300e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.