Продукція > ONSEMI > NSS1C300ET4G
NSS1C300ET4G

NSS1C300ET4G onsemi

nss1c300e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.70 грн
5000+23.82 грн
7500+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C300ET4G onsemi

Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSS1C300ET4G за ціною від 22.22 грн до 108.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS1C300ET4G NSS1C300ET4G Виробник : ONSEMI 2337906.pdf Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.95 грн
13+71.19 грн
100+50.72 грн
500+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4G NSS1C300ET4G Виробник : onsemi nss1c300e-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 12682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.78 грн
10+60.93 грн
100+40.43 грн
500+29.67 грн
1000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4G NSS1C300ET4G Виробник : onsemi NSS1C300E-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) PNP Transistor
на замовлення 6562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.70 грн
10+67.45 грн
100+38.95 грн
500+30.47 грн
1000+27.72 грн
2500+24.67 грн
5000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4G Виробник : ON Semiconductor nss1c300e-d.pdf
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4G NSS1C300ET4G Виробник : ONSEMI 2337906.pdf Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 33
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4G NSS1C300ET4G Виробник : ON Semiconductor nss1c300e-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4G NSS1C300ET4G Виробник : ON Semiconductor nss1c300e-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.