Продукція > ONSEMI > NSS1C301ET4G
NSS1C301ET4G

NSS1C301ET4G onsemi

nss1c301e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.60 грн
10+42.02 грн
100+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C301ET4G onsemi

Description: ONSEMI - NSS1C301ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSS1C301ET4G за ціною від 25.12 грн до 65.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSS1C301ET4G NSS1C301ET4G onsemi NSS1C301E-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4G NSS1C301ET4G ONSEMI ONSM-S-A0011416989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS1C301ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4G ON Semiconductor nss1c301e-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.55 грн
14+56.65 грн
25+53.92 грн
100+41.59 грн
250+38.12 грн
500+30.25 грн
1000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4G ONN nss1c301e-d.pdf
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4G NSS1C301E-D.PDF
NSS1C301ET4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4G ONSM-S-A0011416989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSS1C301ET4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C301ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4G nss1c301e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+65.55 грн
14+56.65 грн
25+53.92 грн
100+41.59 грн
250+38.12 грн
500+30.25 грн
1000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4G nss1c301e-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.