Продукція > ONSEMI > NSS1C301ET4G
NSS1C301ET4G

NSS1C301ET4G ONSEMI

ONSM-S-A0011416989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C301ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.22 грн
50+43.93 грн
100+31.11 грн
500+24.44 грн
1000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C301ET4G ONSEMI

Description: ONSEMI - NSS1C301ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSS1C301ET4G за ціною від 17.60 грн до 79.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS1C301ET4G NSS1C301ET4G Виробник : onsemi nss1c301e-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.35 грн
10+44.28 грн
100+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4G NSS1C301ET4G Виробник : onsemi NSS1C301E-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.46 грн
10+49.06 грн
100+27.88 грн
500+21.56 грн
1000+19.88 грн
2500+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4G NSS1C301ET4G Виробник : onsemi nss1c301e-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4G Виробник : ONSEMI nss1c301e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 12.5W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 120...360
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.