NSS20101JT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1571+ | 8.94 грн |
| 1586+ | 8.86 грн |
| 1601+ | 8.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS20101JT1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3, Power - Max: 300 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-89-3, Frequency - Transition: 350MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-89, SOT-490, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NSS20101JT1G за ціною від 4.51 грн до 23.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSS20101JT1G | onsemi |
 Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SC-89-3 Frequency - Transition: 350MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NSS20101JT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSS20101JT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) |
на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSS20101JT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 22.32 грн |
| 23+ | 12.90 грн |
| 100+ | 8.05 грн |
| 500+ | 5.57 грн |
| 1000+ | 4.93 грн |
| NSS20101JT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 23.85 грн |
| 41+ | 18.37 грн |
| 42+ | 18.24 грн |
| 100+ | 8.63 грн |
| 250+ | 7.91 грн |
| 500+ | 7.52 грн |
| 1000+ | 4.51 грн |
| NSS20101JT1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)