NSS20101JT1G

NSS20101JT1G ON Semiconductor


nss20101j-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1571+7.92 грн
1586+7.84 грн
1601+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 1571
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS20101JT1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 350MHz, Supplier Device Package: SC-89-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 300 mW.

Інші пропозиції NSS20101JT1G за ціною від 3.65 грн до 24.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS20101JT1G NSS20101JT1G Виробник : onsemi NSS20101J-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.83 грн
18+20.53 грн
100+16.15 грн
500+12.11 грн
1000+8.93 грн
3000+4.11 грн
6000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1G NSS20101JT1G Виробник : ON Semiconductor nss20101j-d.pdf Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+22.62 грн
41+17.42 грн
42+17.30 грн
100+8.18 грн
250+7.50 грн
500+7.13 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1G NSS20101JT1G Виробник : onsemi nss20101j-d.pdf Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.35 грн
23+14.07 грн
100+8.78 грн
500+6.08 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1G NSS20101JT1G Виробник : ON Semiconductor nss20101j-d.pdf Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1G NSS20101JT1G Виробник : ON Semiconductor nss20101j-d.pdf Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1G NSS20101JT1G Виробник : onsemi nss20101j-d.pdf Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.