Продукція > ONSEMI > NSS20200LT1G
NSS20200LT1G

NSS20200LT1G onsemi

nss20200l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.35 грн
6000+6.43 грн
9000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS20200LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSS20200LT1G за ціною від 7.85 грн до 33.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSS20200LT1G NSS20200LT1G ON Semiconductor nss20200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G NSS20200LT1G ON Semiconductor nss20200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G NSS20200LT1G ON Semiconductor nss20200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G NSS20200LT1G ON Semiconductor nss20200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+28.33 грн
729+19.36 грн
737+19.15 грн
1034+13.16 грн
1265+9.96 грн
3000+9.48 грн
6000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G NSS20200LT1G onsemi nss20200l-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 14749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.63 грн
16+19.73 грн
100+12.49 грн
500+8.79 грн
1000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G NSS20200LT1G onsemi NSS20200L-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 12444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G NSS20200LT1G ONSEMI 1840610.pdf Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G NSS20200LT1G ONSEMI 1840610.pdf Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G ONN nss20200l-d.pdf
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G nss20200l-d.pdf
NSS20200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G nss20200l-d.pdf
NSS20200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G nss20200l-d.pdf
NSS20200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G nss20200l-d.pdf
NSS20200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
499+28.33 грн
729+19.36 грн
737+19.15 грн
1034+13.16 грн
1265+9.96 грн
3000+9.48 грн
6000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G nss20200l-d.pdf
NSS20200LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 14749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.63 грн
16+19.73 грн
100+12.49 грн
500+8.79 грн
1000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G NSS20200L-D.PDF
NSS20200LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 12444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G 1840610.pdf
NSS20200LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G 1840610.pdf
NSS20200LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G nss20200l-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.