Продукція > ONSEMI > NSS20201MR6T1G
NSS20201MR6T1G

NSS20201MR6T1G onsemi

nss20201mr6t1g.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS20201MR6T1G onsemi

Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 460 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: 6-TSOP.

Інші пропозиції NSS20201MR6T1G за ціною від 14.73 грн до 47.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSS20201MR6T1G NSS20201MR6T1G onsemi nss20201mr6t1g.pdf Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.03 грн
10+35.51 грн
100+24.55 грн
500+19.25 грн
1000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1G NSS20201MR6T1G onsemi NSS20201MR6T1G-1813731.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
10+40.93 грн
100+27.28 грн
500+21.57 грн
1000+17.20 грн
3000+15.58 грн
6000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1G ON Semiconductor nss20201mr6t1g.pdf
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1G nss20201mr6t1g.pdf
NSS20201MR6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.03 грн
10+35.51 грн
100+24.55 грн
500+19.25 грн
1000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1G NSS20201MR6T1G-1813731.pdf
NSS20201MR6T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.12 грн
10+40.93 грн
100+27.28 грн
500+21.57 грн
1000+17.20 грн
3000+15.58 грн
6000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1G nss20201mr6t1g.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.