Продукція > ONSEMI > NSS20201MR6T1G
NSS20201MR6T1G

NSS20201MR6T1G onsemi

nss20201mr6t1g.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS20201MR6T1G onsemi

Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: 6-TSOP, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 460 mW.

Інші пропозиції NSS20201MR6T1G за ціною від 15.72 грн до 50.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSS20201MR6T1G NSS20201MR6T1G onsemi nss20201mr6t1g.pdf Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.06 грн
10+35.53 грн
100+24.57 грн
500+19.27 грн
1000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1G NSS20201MR6T1G onsemi NSS20201MR6T1G-1813731.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+50.30 грн
10+43.69 грн
100+29.12 грн
500+23.02 грн
1000+18.36 грн
3000+16.63 грн
6000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1G NSS20201MR6T1G ONSEMI ONSMS11522-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSS20201MR6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 46370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1G nss20201mr6t1g.pdf
NSS20201MR6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.06 грн
10+35.53 грн
100+24.57 грн
500+19.27 грн
1000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1G NSS20201MR6T1G-1813731.pdf
NSS20201MR6T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.30 грн
10+43.69 грн
100+29.12 грн
500+23.02 грн
1000+18.36 грн
3000+16.63 грн
6000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1G ONSMS11522-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NSS20201MR6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS20201MR6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 46370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.