NSS20500UW3TBG onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.63 грн |
| 10+ | 30.73 грн |
| 100+ | 21.00 грн |
| 500+ | 15.51 грн |
| 1000+ | 14.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS20500UW3TBG onsemi
Description: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2), Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 875 mW.
Інші пропозиції NSS20500UW3TBG за ціною від 11.38 грн до 43.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSS20500UW3TBG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR |
на замовлення 7329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
NSS20500UW3TBG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NSS20500UW3TBG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW |
товару немає в наявності |