Продукція > ONSEMI > NSS20501UW3T2G

NSS20501UW3T2G onsemi


NSS20501UW3-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 20V 7.0A
на замовлення 3366 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.57 грн
10+35.18 грн
100+20.93 грн
500+16.63 грн
1000+14.52 грн
3000+12.90 грн
6000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS20501UW3T2G onsemi

Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2), Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 875 mW.

Інші пропозиції NSS20501UW3T2G за ціною від 15.20 грн до 60.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS20501UW3T2G NSS20501UW3T2G onsemi nss20501uw3-d.pdf Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.26 грн
10+36.12 грн
100+23.42 грн
500+16.85 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2G nss20501uw3-d.pdf
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2G nss20501uw3-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+60.26 грн
10+36.12 грн
100+23.42 грн
500+16.85 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2G nss20501uw3-d.pdf
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.