Продукція > ONSEMI > NSS20501UW3TBG
NSS20501UW3TBG

NSS20501UW3TBG onsemi

nss20501uw3-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.93 грн
10+35.25 грн
100+24.48 грн
500+17.94 грн
1000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS20501UW3TBG onsemi

Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2), Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 875 mW.

Інші пропозиції NSS20501UW3TBG за ціною від 11.93 грн до 45.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS20501UW3TBG Виробник : onsemi NSS20501UW3_D-2318401.pdf Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.17 грн
10+38.14 грн
100+24.77 грн
500+19.50 грн
1000+15.06 грн
3000+12.77 грн
9000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBG NSS20501UW3TBG Виробник : onsemi nss20501uw3-d.pdf Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.