Продукція > ONSEMI > NSS30100LT1G

NSS30100LT1G onsemi

Name: NSS30100LT1G
Brand: onsemi
SKU: 1484639-3
Price: 24210 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	8.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NSS30100LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NSS30100LT1G за ціною від 5.92 грн до 36.72 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

NSS30100LT1G

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 8825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	13.58 грн
500+	12.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

NSS30100LT1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
613+	19.87 грн
930+	13.09 грн
940+	12.96 грн
949+	12.37 грн

Мінімальне замовлення: 613

В кошику од. на суму грн.

NSS30100LT1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
24+	25.96 грн
28+	21.73 грн
33+	18.45 грн
100+	11.72 грн
250+	10.74 грн
500+	10.21 грн
1000+	5.92 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

NSS30100LT1G

Виробник : onsemi

Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW

на замовлення 5351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	29.37 грн
17+	18.96 грн
100+	12.80 грн
500+	9.34 грн
1000+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

NSS30100LT1G

Виробник : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat

на замовлення 3537 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	32.62 грн
15+	23.55 грн
100+	12.04 грн
1000+	7.93 грн
3000+	7.63 грн
9000+	7.05 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

NSS30100LT1G

Виробник : ONSEMI

на замовлення 8825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
23+	36.72 грн
30+	28.24 грн
100+	13.58 грн
500+	12.38 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

NSS30100LT1G

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0002239152-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 315927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6000+	7.90 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

NSS30100LT1G

Виробник : ON

09+

на замовлення 3018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NSS30100LT1G

Виробник : ON

SOT23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NSS30100LT1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NSS30100LT1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.