Продукція > ONSEMI > NSS30100LT1G
NSS30100LT1G

NSS30100LT1G onsemi

nss30100lt1g-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS30100LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NSS30100LT1G за ціною від 7.35 грн до 32.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSS30100LT1G NSS30100LT1G ON Semiconductor nss30100lt1g-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+22.94 грн
930+15.11 грн
940+14.96 грн
949+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G NSS30100LT1G onsemi nss30100lt1g-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 310 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.48 грн
17+18.38 грн
100+12.41 грн
500+9.05 грн
1000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G NSS30100LT1G ON Semiconductor nss30100lt1g-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.28 грн
28+27.01 грн
33+22.94 грн
100+14.57 грн
250+13.35 грн
500+12.69 грн
1000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G NSS30100LT1G onsemi NSS30100LT1G_D-2318434.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G NSS30100LT1G ONSEMI 2578358.pdf Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G NSS30100LT1G ONSEMI 2578358.pdf Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G ON nss30100lt1g-d.pdf 09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G ONSEMI ONSM-S-A0002239152-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 315927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G nss30100lt1g-d.pdf
NSS30100LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
613+22.94 грн
930+15.11 грн
940+14.96 грн
949+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G nss30100lt1g-d.pdf
NSS30100LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 310 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.48 грн
17+18.38 грн
100+12.41 грн
500+9.05 грн
1000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G nss30100lt1g-d.pdf
NSS30100LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+32.28 грн
28+27.01 грн
33+22.94 грн
100+14.57 грн
250+13.35 грн
500+12.69 грн
1000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G NSS30100LT1G_D-2318434.pdf
NSS30100LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G 2578358.pdf
NSS30100LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G 2578358.pdf
NSS30100LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G nss30100lt1g-d.pdf
Виробник: ON
09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G ONSM-S-A0002239152-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 315927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.