Продукція > ONSEMI > NSS30101LT1G
NSS30101LT1G

NSS30101LT1G onsemi

nss30101lt1g-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.95 грн
6000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS30101LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSS30101LT1G за ціною від 7.74 грн до 35.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSS30101LT1G NSS30101LT1G ON Semiconductor nss30101lt1g-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
535+26.39 грн
989+14.28 грн
999+14.14 грн
1009+13.50 грн
1454+8.67 грн
3000+8.03 грн
6000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 535 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G NSS30101LT1G onsemi nss30101lt1g-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Power - Max: 310 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.94 грн
17+18.68 грн
100+12.61 грн
500+9.20 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G NSS30101LT1G ON Semiconductor nss30101lt1g-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.49 грн
29+26.39 грн
100+13.77 грн
250+12.63 грн
500+12.00 грн
1000+8.32 грн
3000+8.03 грн
6000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G NSS30101LT1G onsemi NSS30101L_D-3538257.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G NSS30101LT1G ONSEMI nss30101lt1g-d.pdf Description: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G ONN nss30101lt1g-d.pdf
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G nss30101lt1g-d.pdf
NSS30101LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
535+26.39 грн
989+14.28 грн
999+14.14 грн
1009+13.50 грн
1454+8.67 грн
3000+8.03 грн
6000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 535 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G nss30101lt1g-d.pdf
NSS30101LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Power - Max: 310 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.94 грн
17+18.68 грн
100+12.61 грн
500+9.20 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G nss30101lt1g-d.pdf
NSS30101LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+35.49 грн
29+26.39 грн
100+13.77 грн
250+12.63 грн
500+12.00 грн
1000+8.32 грн
3000+8.03 грн
6000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G NSS30101L_D-3538257.pdf
NSS30101LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G nss30101lt1g-d.pdf
NSS30101LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G nss30101lt1g-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.