NSS30101LT1G ON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS30101LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NSS30101LT1G за ціною від 6.93 грн до 34.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSS30101LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NSS30101LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NSS30101LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW |
на замовлення 8570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NSS30101LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NSS30101LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat |
на замовлення 19761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NSS30101LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
NSS30101LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |