Продукція > ONSEMI > NSS30101LT1G
NSS30101LT1G

NSS30101LT1G onsemi

nss30101lt1g-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.88 грн
6000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS30101LT1G onsemi

Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 310 mW.

Інші пропозиції NSS30101LT1G за ціною від 6.06 грн до 30.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSS30101LT1G NSS30101LT1G onsemi nss30101lt1g-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Power - Max: 310 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.67 грн
17+18.51 грн
100+12.49 грн
500+9.11 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G NSS30101LT1G onsemi NSS30101L_D-3538257.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.54 грн
18+18.54 грн
100+8.82 грн
1000+7.92 грн
3000+6.34 грн
9000+6.20 грн
24000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G ONN nss30101lt1g-d.pdf
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G nss30101lt1g-d.pdf
NSS30101LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Power - Max: 310 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+28.67 грн
17+18.51 грн
100+12.49 грн
500+9.11 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G NSS30101L_D-3538257.pdf
NSS30101LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.54 грн
18+18.54 грн
100+8.82 грн
1000+7.92 грн
3000+6.34 грн
9000+6.20 грн
24000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G nss30101lt1g-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.