Продукція > ONSEMI > NSS30201MR6T1G
NSS30201MR6T1G

NSS30201MR6T1G onsemi

nss30201mr6t1g-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS30201MR6T1G onsemi

Description: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: 6-TSOP, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 535 mW.

Інші пропозиції NSS30201MR6T1G за ціною від 15.83 грн до 62.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSS30201MR6T1G NSS30201MR6T1G onsemi nss30201mr6t1g-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 5377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.77 грн
10+37.38 грн
100+24.31 грн
500+17.54 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1G NSS30201MR6T1G onsemi NSS30201MR6T1G-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1G ON nss30201mr6t1g-d.pdf 09+
на замовлення 6751 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1G nss30201mr6t1g-d.pdf
NSS30201MR6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 5377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.77 грн
10+37.38 грн
100+24.31 грн
500+17.54 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1G NSS30201MR6T1G-D.PDF
NSS30201MR6T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1G nss30201mr6t1g-d.pdf
Виробник: ON
09+
на замовлення 6751 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.