Продукція > ONSEMI > NSS35200MR6T1G

NSS35200MR6T1G onsemi


NSS35200MR6_D-2318605.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS35200MR6T1G onsemi

Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції NSS35200MR6T1G за ціною від 7.41 грн до 11.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSS35200MR6T1G ON Semiconductor nss35200mr6-d.pdf Trans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+11.59 грн
70+10.88 грн
71+10.71 грн
100+9.24 грн
250+8.53 грн
500+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1G ON nss35200mr6-d.pdf 07+;
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1G nss35200mr6-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+11.59 грн
70+10.88 грн
71+10.71 грн
100+9.24 грн
250+8.53 грн
500+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1G nss35200mr6-d.pdf
Виробник: ON
07+;
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.