| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.84 грн |
| 10+ | 37.63 грн |
| 100+ | 24.52 грн |
| 500+ | 19.22 грн |
| 1000+ | 15.02 грн |
| 3000+ | 12.74 грн |
| 9000+ | 11.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS35200MR6T1G onsemi
Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції NSS35200MR6T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NSS35200MR6T1G | ON |
 07+; |
на замовлення 8600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSS35200MR6T1G |
|
Виробник: ON
07+;
07+;
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)