NSS40200LT1G ON Semiconductor
на замовлення 185658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 135+ | 5.29 грн |
| 137+ | 5.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS40200LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NSS40200LT1G за ціною від 5.64 грн до 39.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSS40200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NSS40200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NSS40200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NSS40200LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NSS40200LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NSS40200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NSS40200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NSS40200LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR |
на замовлення 2931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NSS40200LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW |
на замовлення 9034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NSS40200LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| NSS40200LT1G | Виробник : ON |
|
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
NSS40200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |