NSS40200LT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 48.36 грн |
| 26+ | 29.24 грн |
| 100+ | 18.40 грн |
| 500+ | 12.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS40200LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 460 mW.
Інші пропозиції NSS40200LT1G за ціною від 13.32 грн до 57.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NSS40200LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| NSS40200LT1G | ON |
|
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSS40200LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
Bipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.97 грн |
| 10+ | 39.15 грн |
| 100+ | 21.57 грн |
| 500+ | 13.32 грн |
| NSS40200LT1G |
![]() |
Виробник: ON
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




