Продукція > ONSEMI > NSS40200UW6T1G
NSS40200UW6T1G

NSS40200UW6T1G onsemi

nss40200uw6-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 219202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1045+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 1045
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS40200UW6T1G onsemi

Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 875 mW.

Інші пропозиції NSS40200UW6T1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSS40200UW6T1G Виробник : ON Semiconductor nss40200uw6-d.pdf
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSS40200UW6T1G NSS40200UW6T1G Виробник : ON Semiconductor nss40200uw6-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSS40200UW6T1G NSS40200UW6T1G Виробник : onsemi nss40200uw6-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товар відсутній
NSS40200UW6T1G NSS40200UW6T1G Виробник : ON Semiconductor NSS40200UW6-D-1286968.pdf Bipolar Transistors - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR
товар відсутній