Продукція > ONSEMI > NSS40300DDR2G
NSS40300DDR2G

NSS40300DDR2G onsemi

nss40300d-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.61 грн
5000+24.59 грн
7500+23.58 грн
12500+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS40300DDR2G onsemi

Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 653mW, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSS40300DDR2G за ціною від 20.38 грн до 104.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS40300DDR2G NSS40300DDR2G Виробник : onsemi NSS40300D-D.PDF Bipolar Transistors - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.12 грн
10+47.56 грн
100+31.78 грн
500+27.83 грн
1000+25.70 грн
2500+21.67 грн
5000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2G NSS40300DDR2G Виробник : onsemi nss40300d-d.pdf Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 24947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.45 грн
10+63.51 грн
100+42.02 грн
500+30.77 грн
1000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2G Виробник : ON Semiconductor nss40300d-d.pdf
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2G NSS40300DDR2G Виробник : ON Semiconductor nss40300d-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2G NSS40300DDR2G Виробник : ON Semiconductor nss40300d-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2G Виробник : ONSEMI nss40300d-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 3A; 0.576W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.576W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 220
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.