Продукція > ONSEMI > NSS40300DDR2G
NSS40300DDR2G

NSS40300DDR2G onsemi

nss40300d-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.87 грн
5000+23.05 грн
7500+22.10 грн
12500+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS40300DDR2G onsemi

Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 653mW, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSS40300DDR2G за ціною від 21.55 грн до 106.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS40300DDR2G NSS40300DDR2G Виробник : onsemi nss40300d-d.pdf Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 14697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.29 грн
10+59.56 грн
100+39.38 грн
500+28.83 грн
1000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2G NSS40300DDR2G Виробник : onsemi NSS40300D-D.PDF Bipolar Transistors - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
на замовлення 3545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.95 грн
10+48.18 грн
100+33.21 грн
500+29.43 грн
1000+25.33 грн
2500+23.16 грн
5000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2G Виробник : ON Semiconductor nss40300d-d.pdf
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2G NSS40300DDR2G Виробник : ON Semiconductor nss40300d-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2G NSS40300DDR2G Виробник : ON Semiconductor nss40300d-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.