Продукція > ONSEMI > NSS40300MDR2G
NSS40300MDR2G

NSS40300MDR2G onsemi

nss40300md-d.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.83 грн
10+60.60 грн
100+34.49 грн
500+28.04 грн
1000+25.76 грн
2500+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS40300MDR2G onsemi

Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 653mW, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSS40300MDR2G за ціною від 41.20 грн до 102.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS40300MDR2G NSS40300MDR2G Виробник : onsemi nss40300md-d.pdf Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.41 грн
10+62.31 грн
100+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2G Виробник : ON Semiconductor nss40300md-d.pdf
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2G NSS40300MDR2G Виробник : ON Semiconductor nss40300md-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2G NSS40300MDR2G Виробник : ON Semiconductor nss40300md-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2G NSS40300MDR2G Виробник : onsemi nss40300md-d.pdf Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.