NSS40300MZ4T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 18.86 грн |
| 2000+ | 16.50 грн |
| 3000+ | 15.66 грн |
| 5000+ | 13.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS40300MZ4T1G onsemi
Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NSS40300MZ4T1G за ціною від 12.33 грн до 67.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSS40300MZ4T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NSS40300MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NSS40300MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NSS40300MZ4T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NSS40300MZ4T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A |
на замовлення 2359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NSS40300MZ4T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 7221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| NSS40300MZ4T1G | Виробник : ON |
|
на замовлення 41500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| NSS40300MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 31720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
NSS40300MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
NSS40300MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |