Продукція > ONSEMI > NSS40301MDR2G
NSS40301MDR2G

NSS40301MDR2G onsemi

nss40301md-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS40301MDR2G onsemi

Description: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 653mW, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSS40301MDR2G за ціною від 24.23 грн до 100.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS40301MDR2G NSS40301MDR2G onsemi nss40301md-d.pdf Description: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.19 грн
10+55.01 грн
100+36.37 грн
500+26.65 грн
1000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2G NSS40301MDR2G onsemi nss40301md-d.pdf Bipolar Transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
на замовлення 11779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.92 грн
10+62.76 грн
100+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2G nss40301md-d.pdf
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2G nss40301md-d.pdf
NSS40301MDR2G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.19 грн
10+55.01 грн
100+36.37 грн
500+26.65 грн
1000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2G nss40301md-d.pdf
NSS40301MDR2G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
на замовлення 11779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.92 грн
10+62.76 грн
100+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2G nss40301md-d.pdf
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.