Продукція > ONSEMI > NSS40302PDR2G
NSS40302PDR2G

NSS40302PDR2G onsemi

nss40302p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+32.89 грн
5000+29.48 грн
7500+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS40302PDR2G onsemi

Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 653mW, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSS40302PDR2G за ціною від 28.17 грн до 125.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G onsemi nss40302p-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 88233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.60 грн
10+72.84 грн
100+48.93 грн
500+36.31 грн
1000+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G onsemi NSS40302P-D.PDF Bipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
на замовлення 8152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.64 грн
10+78.52 грн
100+45.84 грн
500+36.24 грн
1000+33.14 грн
2500+29.75 грн
5000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2G ONN nss40302p-d.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2G nss40302p-d.pdf
NSS40302PDR2G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 88233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+119.60 грн
10+72.84 грн
100+48.93 грн
500+36.31 грн
1000+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2G NSS40302P-D.PDF
NSS40302PDR2G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
на замовлення 8152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+125.64 грн
10+78.52 грн
100+45.84 грн
500+36.24 грн
1000+33.14 грн
2500+29.75 грн
5000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2G nss40302p-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.