NSS40302PDR2G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 33.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS40302PDR2G onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 653mW, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції NSS40302PDR2G за ціною від 29.44 грн до 88.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSS40302PDR2G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 4903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS40302PDR2G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A |
на замовлення 19880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS40302PDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NSS40302PDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NSS40302PDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |