NSS40500UW3T2G

NSS40500UW3T2G ON Semiconductor


nss40500uw3-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS40500UW3T2G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 875 mW.

Інші пропозиції NSS40500UW3T2G за ціною від 17.61 грн до 68.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40500uw3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : onsemi nss40500uw3-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.79 грн
10+37.98 грн
100+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : onsemi NSS40500UW3_D-1813934.pdf Bipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.50 грн
10+42.10 грн
100+24.78 грн
250+24.63 грн
500+18.68 грн
1000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40500uw3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G Виробник : ONSEMI nss40500uw3-d.pdf Description: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G nss40500uw3-d.pdf
на замовлення 6998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40500uw3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40500uw3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40500uw3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : onsemi nss40500uw3-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.