NSS40500UW3T2G

NSS40500UW3T2G ON Semiconductor


nss40500uw3-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS40500UW3T2G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 875 mW.

Інші пропозиції NSS40500UW3T2G за ціною від 12.84 грн до 67.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40500uw3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : onsemi NSS40500UW3_D-1813934.pdf Bipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.54 грн
10+36.04 грн
100+21.94 грн
500+19.16 грн
1000+15.49 грн
3000+14.31 грн
9000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : onsemi nss40500uw3-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 4243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.48 грн
10+40.82 грн
100+26.50 грн
500+19.08 грн
1000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40500uw3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G Виробник : ONSEMI nss40500uw3-d.pdf Description: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G nss40500uw3-d.pdf
на замовлення 6998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40500uw3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40500uw3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40500uw3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : onsemi nss40500uw3-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.