Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSS40501UW3T2G
NSS40501UW3T2G

NSS40501UW3T2G ON Semiconductor

nss40501uw3-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
243+52.27 грн
278+44.09 грн
500+36.99 грн
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 243
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS40501UW3T2G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 875 mW.

Інші пропозиції NSS40501UW3T2G за ціною від 24.74 грн до 101.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS40501UW3T2G NSS40501UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40501uw3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+56.09 грн
25+56.00 грн
100+47.30 грн
250+43.74 грн
500+38.05 грн
1000+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2G NSS40501UW3T2G Виробник : onsemi NSS40501UW3-D.PDF Bipolar Transistors - BJT QUAD 2-INPUT OR GATE
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.97 грн
10+50.51 грн
100+31.79 грн
500+26.64 грн
1000+25.45 грн
3000+25.37 грн
6000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2G NSS40501UW3T2G Виробник : onsemi nss40501uw3-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.20 грн
10+61.36 грн
100+40.56 грн
500+29.71 грн
1000+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2G NSS40501UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40501uw3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2G NSS40501UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40501uw3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2G NSS40501UW3T2G Виробник : onsemi nss40501uw3-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.