Продукція > ONSEMI > NSS40601CF8T1G
NSS40601CF8T1G

NSS40601CF8T1G onsemi

NSS40601CF8_D-2318469.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT HEX UNBUFFED INVERTR
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.32 грн
10+ 66.15 грн
100+ 44.84 грн
500+ 37 грн
1000+ 29.29 грн
3000+ 27.23 грн
9000+ 24.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS40601CF8T1G onsemi

Description: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: ChipFET™, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 830 mW.

Інші пропозиції NSS40601CF8T1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSS40601CF8T1G NSS40601CF8T1G Виробник : ON Semiconductor nss40601cf8-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NSS40601CF8T1G NSS40601CF8T1G Виробник : onsemi nss40601cf8-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товар відсутній
NSS40601CF8T1G NSS40601CF8T1G Виробник : onsemi nss40601cf8-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товар відсутній