на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 86.86 грн |
| 10+ | 77.31 грн |
| 100+ | 52.40 грн |
| 500+ | 43.24 грн |
| 1000+ | 34.24 грн |
| 3000+ | 31.83 грн |
| 9000+ | 29.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS40601CF8T1G onsemi
Description: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: ChipFET™, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 830 mW.
Інші пропозиції NSS40601CF8T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSS40601CF8T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R |
товару немає в наявності |
|
|
NSS40601CF8T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 6A CHIPFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 830 mW |
товару немає в наявності |
|
|
NSS40601CF8T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 6A CHIPFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 830 mW |
товару немає в наявності |

