Технічний опис NSS60100DMTTBG ON Semiconductor
Description: TRANS 2PNP 60V 1A, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Frequency - Transition: 155MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Power - Max: 2.27W, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: 2 PNP (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NSS60100DMTTBG за ціною від 15.99 грн до 46.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSS60100DMTTBG | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NSS60100DMTTBG | onsemi |
Description: TRANS 2PNP 60V 1A Part Status: Active Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Frequency - Transition: 155MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 2.27W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NSS60100DMTTBG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSS60100DMTTBG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1473+ | 23.97 грн |
| NSS60100DMTTBG |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 60V 1A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 155MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 2.27W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS 2PNP 60V 1A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 155MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 2.27W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.92 грн |
| 10+ | 38.63 грн |
| 100+ | 26.85 грн |
| 500+ | 19.67 грн |
| 1000+ | 15.99 грн |
| NSS60100DMTTBG |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)