Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSS60100DMTTBG
NSS60100DMTTBG

NSS60100DMTTBG ON Semiconductor

nss60100dmt-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1473+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 1473
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS60100DMTTBG ON Semiconductor

Description: TRANS 2PNP 60V 1A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 2.27W, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 155MHz, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Part Status: Active.

Інші пропозиції NSS60100DMTTBG за ціною від 15.53 грн до 71.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS60100DMTTBG NSS60100DMTTBG Виробник : ON Semiconductor nss60100dmt-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1473+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 1473
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBG NSS60100DMTTBG Виробник : onsemi nss60100dmt-d.pdf Description: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.66 грн
10+40.89 грн
100+28.41 грн
500+20.82 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBG NSS60100DMTTBG Виробник : onsemi NSS60100DMT_D-1813873.pdf Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.41 грн
10+43.82 грн
100+24.79 грн
500+19.05 грн
1000+17.22 грн
3000+15.99 грн
6000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBG NSS60100DMTTBG Виробник : ON Semiconductor nss60100dmt-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBG NSS60100DMTTBG Виробник : ON Semiconductor nss60100dmt-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBG NSS60100DMTTBG Виробник : onsemi nss60100dmt-d.pdf Description: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBG Виробник : ONSEMI nss60100dmt-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 60V; 1A; 2.27W; WDFN6
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP x2
Case: WDFN6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.27W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.