Продукція > ONSEMI > NSS60100DMTTBG
NSS60100DMTTBG

NSS60100DMTTBG onsemi

nss60100dmt-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 5433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.89 грн
10+ 34.84 грн
100+ 24.21 грн
500+ 17.73 грн
1000+ 14.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS60100DMTTBG onsemi

Description: TRANS 2PNP 60V 1A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 2.27W, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 155MHz, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Part Status: Active.

Інші пропозиції NSS60100DMTTBG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSS60100DMTTBG NSS60100DMTTBG Виробник : ON Semiconductor nss60100dmt-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSS60100DMTTBG NSS60100DMTTBG Виробник : onsemi nss60100dmt-d.pdf Description: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
товар відсутній
NSS60100DMTTBG NSS60100DMTTBG Виробник : onsemi NSS60100DMT_D-2318515.pdf Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
товар відсутній