NSS60100DMTTBG ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1473+ | 24.45 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1473 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS60100DMTTBG ON Semiconductor
Description: TRANS 2PNP 60V 1A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 2.27W, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 155MHz, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Part Status: Active.
Інші пропозиції NSS60100DMTTBG за ціною від 15.01 грн до 69.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSS60100DMTTBG | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSS60100DMTTBG | onsemi |
Description: TRANS 2PNP 60V 1A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.27W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 5413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSS60100DMTTBG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| NSS60100DMTTBG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1473+ | 24.45 грн |
| NSS60100DMTTBG |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.79 грн |
| 10+ | 38.52 грн |
| 100+ | 26.77 грн |
| 500+ | 19.62 грн |
| 1000+ | 15.95 грн |
| NSS60100DMTTBG |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.01 грн |
| 10+ | 42.35 грн |
| 100+ | 23.96 грн |
| 500+ | 18.41 грн |
| 1000+ | 16.64 грн |
| 3000+ | 15.45 грн |
| 6000+ | 15.01 грн |