Продукція > ONSEMI > NSS60101DMTTBG
NSS60101DMTTBG

NSS60101DMTTBG onsemi

nss60101dmt-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS60101DMTTBG onsemi

Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 2.27W, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Part Status: Active.

Інші пропозиції NSS60101DMTTBG за ціною від 15.49 грн до 51.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSS60101DMTTBG NSS60101DMTTBG ON Semiconductor nss60101dmt-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1473+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 1473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBG NSS60101DMTTBG onsemi nss60101dmt-d.pdf Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 2.27W
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.62 грн
10+33.44 грн
100+22.90 грн
500+16.98 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBG NSS60101DMTTBG onsemi nss60101dmt-d.pdf Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBG nss60101dmt-d.pdf
NSS60101DMTTBG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1473+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 1473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBG nss60101dmt-d.pdf
NSS60101DMTTBG
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 2.27W
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.62 грн
10+33.44 грн
100+22.90 грн
500+16.98 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBG nss60101dmt-d.pdf
NSS60101DMTTBG
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.