Продукція > ONSEMI > NSS60101DMTTBG
NSS60101DMTTBG

NSS60101DMTTBG onsemi

nss60101dmt-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS60101DMTTBG onsemi

Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 2.27W, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Part Status: Active.

Інші пропозиції NSS60101DMTTBG за ціною від 12.28 грн до 59.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS60101DMTTBG NSS60101DMTTBG Виробник : ON Semiconductor nss60101dmt-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1473+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 1473
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBG NSS60101DMTTBG Виробник : onsemi nss60101dmt-d.pdf Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.12 грн
10+33.77 грн
100+23.13 грн
500+17.14 грн
1000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBG NSS60101DMTTBG Виробник : onsemi NSS60101DMT_D-1387890.pdf Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 4721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.13 грн
10+35.84 грн
100+21.76 грн
500+17.48 грн
1000+15.80 грн
3000+13.06 грн
6000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBG NSS60101DMTTBG Виробник : ON Semiconductor nss60101dmt-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.