NSS60101DMTTBG ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS60101DMTTBG ON Semiconductor
Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 2.27W, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Part Status: Active.
Інші пропозиції NSS60101DMTTBG за ціною від 13.33 грн до 64.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSS60101DMTTBG | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.27W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS60101DMTTBG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS60101DMTTBG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.27W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 3765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS60101DMTTBG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA |
на замовлення 4721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS60101DMTTBG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |