Продукція > ONSEMI > NSS60200LT1G
NSS60200LT1G

NSS60200LT1G onsemi


nss60200l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.47 грн
6000+ 6.9 грн
9000+ 6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS60200LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NSS60200LT1G за ціною від 6.31 грн до 43.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.86 грн
6000+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.46 грн
6000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 13622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.73 грн
14+ 20.67 грн
100+ 12.41 грн
500+ 10.79 грн
1000+ 7.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.27 грн
29+ 20.4 грн
Мінімальне замовлення: 20
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : onsemi NSS60200L_D-2318436.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
на замовлення 19883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.67 грн
17+ 18.21 грн
100+ 11.37 грн
1000+ 7.82 грн
3000+ 6.64 грн
9000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : ONSEMI nss60200l-d.pdf Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+43.35 грн
22+ 34.72 грн
100+ 21.16 грн
500+ 14.79 грн
1000+ 10.24 грн
Мінімальне замовлення: 18
NSS60200LT1G NSS60200LT1G
Код товару: 121380
nss60200l-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній