Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > NSS60200LT1G

NSS60200LT1G

nss60200l-d.pdf
Код товару: 121380
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NSS60200LT1G за ціною від 5.94 грн до 38.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSS60200LT1G NSS60200LT1G onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.70 грн
6000+7.64 грн
9000+7.26 грн
15000+6.41 грн
21000+6.17 грн
30000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.24 грн
6000+13.06 грн
9000+12.73 грн
12000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G onsemi NSS60200L_D-1813768.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
на замовлення 42339 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
10+32.61 грн
14+21.68 грн
100+13.97 грн
500+10.65 грн
1000+9.46 грн
3000+7.02 грн
6000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.21 грн
14+22.98 грн
100+14.63 грн
500+10.35 грн
1000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G nss60200l-d.pdf
NSS60200LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.70 грн
6000+7.64 грн
9000+7.26 грн
15000+6.41 грн
21000+6.17 грн
30000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G nss60200l-d.pdf
NSS60200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G nss60200l-d.pdf
NSS60200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G nss60200l-d.pdf
NSS60200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.24 грн
6000+13.06 грн
9000+12.73 грн
12000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200L_D-1813768.pdf
NSS60200LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
на замовлення 42339 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.61 грн
14+21.68 грн
100+13.97 грн
500+10.65 грн
1000+9.46 грн
3000+7.02 грн
6000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G nss60200l-d.pdf
NSS60200LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.21 грн
14+22.98 грн
100+14.63 грн
500+10.35 грн
1000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G ONSM-S-A0013300524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSS60200LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.