NSS60200LT1G ON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS60200LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NSS60200LT1G за ціною від 6.30 грн до 40.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSS60200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS60200LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS60200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS60200LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A |
на замовлення 42339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS60200LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS60200LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW |
на замовлення 39414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS60200LT1G Код товару: 121380
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
 |
NSS60200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NSS60200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NSS60200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NSS60200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NSS60200LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.54W Collector current: 2A Current gain: 150 Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 100MHz |
товару немає в наявності |