NSS60200LT1G

NSS60200LT1G ON Semiconductor


nss60200l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS60200LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NSS60200LT1G за ціною від 6.49 грн до 41.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.51 грн
6000+8.34 грн
9000+7.92 грн
15000+7.00 грн
21000+6.74 грн
30000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.74 грн
6000+11.58 грн
9000+11.28 грн
12000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : onsemi NSS60200L_D-1813768.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
на замовлення 42339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.72 грн
16+23.09 грн
100+14.88 грн
500+11.34 грн
1000+10.08 грн
3000+7.48 грн
6000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+35.24 грн
39+22.78 грн
100+17.04 грн
500+13.04 грн
1000+9.46 грн
5000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.73 грн
14+25.09 грн
100+15.97 грн
500+11.30 грн
1000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G
Код товару: 121380
Додати до обраних Обраний товар

nss60200l-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G NSS60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.