Продукція > ONSEMI > NSS60201LT1G
NSS60201LT1G

NSS60201LT1G onsemi

nss60201l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.67 грн
6000+8.51 грн
9000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS60201LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS60201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NSS60201LT1G за ціною від 8.70 грн до 50.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSS60201LT1G NSS60201LT1G onsemi nss60201l-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 10418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
12+25.13 грн
100+16.08 грн
500+11.43 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1G NSS60201LT1G onsemi nss60201l-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 13776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.30 грн
12+27.15 грн
100+15.12 грн
500+11.46 грн
1000+10.29 грн
3000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1G NSS60201LT1G ONSEMI 2354274.pdf Description: ONSEMI - NSS60201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.50 грн
26+31.41 грн
100+20.13 грн
500+14.13 грн
1000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1G nss60201l-d.pdf
NSS60201LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 10418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.94 грн
12+25.13 грн
100+16.08 грн
500+11.43 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1G nss60201l-d.pdf
NSS60201LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 13776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.30 грн
12+27.15 грн
100+15.12 грн
500+11.46 грн
1000+10.29 грн
3000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1G 2354274.pdf
NSS60201LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS60201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+50.50 грн
26+31.41 грн
100+20.13 грн
500+14.13 грн
1000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.