Продукція > ONSEMI > NSS60600MZ4T1G
NSS60600MZ4T1G

NSS60600MZ4T1G onsemi

nss60600mz4-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+16.77 грн
2000+14.81 грн
3000+14.13 грн
5000+12.53 грн
7000+12.10 грн
10000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS60600MZ4T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NSS60600MZ4T1G за ціною від 13.62 грн до 56.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS60600MZ4T1G NSS60600MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1G NSS60600MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1G NSS60600MZ4T1G Виробник : ONSEMI 2337907.pdf Description: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.81 грн
200+26.12 грн
500+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1G NSS60600MZ4T1G Виробник : onsemi nss60600mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 25656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.71 грн
10+32.87 грн
100+22.46 грн
500+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1G NSS60600MZ4T1G Виробник : ONSEMI 2337907.pdf Description: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+55.01 грн
20+43.49 грн
50+35.81 грн
200+26.12 грн
500+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1G NSS60600MZ4T1G Виробник : onsemi NSS60600MZ4_D-1813935.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
на замовлення 6967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.95 грн
10+44.16 грн
100+25.45 грн
500+19.50 грн
1000+16.52 грн
2000+14.51 грн
5000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1G NSS60600MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1G Виробник : ON nss60600mz4-d.pdf 10+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1G NSS60600MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1G NSS60600MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.