Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSS60600MZ4T3G
NSS60600MZ4T3G

NSS60600MZ4T3G ON Semiconductor

nss60600mz4-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS60600MZ4T3G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції NSS60600MZ4T3G за ціною від 13.94 грн до 54.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : onsemi nss60600mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1560+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 1560
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1560+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 1560
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : onsemi nss60600mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.71 грн
10+33.02 грн
100+22.53 грн
500+16.67 грн
1000+15.20 грн
2000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : onsemi NSS60600MZ4_D-1813935.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.43 грн
10+42.10 грн
100+27.38 грн
500+21.51 грн
1000+16.59 грн
2500+15.11 грн
4000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G nss60600mz4-d.pdf
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.