
NSS60600MZ4T3G ON Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 13.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS60600MZ4T3G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції NSS60600MZ4T3G за ціною від 12.55 грн до 68.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSS60600MZ4T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSS60600MZ4T3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSS60600MZ4T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSS60600MZ4T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSS60600MZ4T3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 7446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSS60600MZ4T3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 7535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NSS60600MZ4T3G |
![]() |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
NSS60600MZ4T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NSS60600MZ4T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
NSS60600MZ4T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 6A; 2W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 6A Power dissipation: 2W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 120...360 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товару немає в наявності |