NSS60600MZ4T3G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS60600MZ4T3G onsemi
Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції NSS60600MZ4T3G за ціною від 13.55 грн до 49.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NSS60600MZ4T3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NSS60600MZ4T3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NSS60600MZ4T3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NSS60600MZ4T3G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 7446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NSS60600MZ4T3G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A |
на замовлення 7535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NSS60600MZ4T3G |
|
на замовлення 3340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSS60600MZ4T3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 16.20 грн |
| NSS60600MZ4T3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1560+ | 22.63 грн |
| NSS60600MZ4T3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1560+ | 22.63 грн |
| NSS60600MZ4T3G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.27 грн |
| 10+ | 32.08 грн |
| 100+ | 21.89 грн |
| 500+ | 16.20 грн |
| 1000+ | 14.77 грн |
| 2000+ | 13.55 грн |
| NSS60600MZ4T3G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
на замовлення 7535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




