Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSS60600MZ4T3G
NSS60600MZ4T3G

NSS60600MZ4T3G ON Semiconductor

nss60600mz4-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS60600MZ4T3G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції NSS60600MZ4T3G за ціною від 12.11 грн до 50.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : onsemi nss60600mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : onsemi NSS60600MZ4_D-2318291.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
на замовлення 15132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.78 грн
10+40.60 грн
100+24.59 грн
500+19.01 грн
1000+13.94 грн
4000+13.14 грн
8000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : onsemi nss60600mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.02 грн
10+32.57 грн
100+22.22 грн
500+16.45 грн
1000+14.99 грн
2000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G nss60600mz4-d.pdf
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.