Продукція > ONSEMI > NSS60601MZ4T1G
NSS60601MZ4T1G

NSS60601MZ4T1G onsemi

nss60601mz4-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+18.09 грн
2000+16.01 грн
3000+15.28 грн
5000+13.58 грн
7000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS60601MZ4T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NSS60601MZ4T1G за ціною від 12.88 грн до 73.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G ONSEMI nss60601mz4-d.pdf Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G ONSEMI nss60601mz4-d.pdf Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.49 грн
200+28.43 грн
500+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G onsemi nss60601mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.02 грн
10+35.15 грн
100+24.11 грн
500+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G onsemi NSS60601MZ4_D-1813874.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 16891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.48 грн
10+37.94 грн
100+23.69 грн
500+18.25 грн
1000+16.26 грн
2000+14.19 грн
5000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G ONSEMI nss60601mz4-d.pdf Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.53 грн
18+46.29 грн
50+38.49 грн
200+28.43 грн
500+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G ONN nss60601mz4-d.pdf
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G nss60601mz4-d.pdf
NSS60601MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G nss60601mz4-d.pdf
NSS60601MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+38.49 грн
200+28.43 грн
500+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G nss60601mz4-d.pdf
NSS60601MZ4T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.02 грн
10+35.15 грн
100+24.11 грн
500+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4_D-1813874.pdf
NSS60601MZ4T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 16891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+61.48 грн
10+37.94 грн
100+23.69 грн
500+18.25 грн
1000+16.26 грн
2000+14.19 грн
5000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G nss60601mz4-d.pdf
NSS60601MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+73.53 грн
18+46.29 грн
50+38.49 грн
200+28.43 грн
500+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G nss60601mz4-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.