Продукція > ONSEMI > NSS60601MZ4T1G
NSS60601MZ4T1G

NSS60601MZ4T1G onsemi

nss60601mz4-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.44 грн
2000+16.31 грн
3000+15.58 грн
5000+13.84 грн
7000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS60601MZ4T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NSS60601MZ4T1G за ціною від 13.13 грн до 74.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Виробник : ONSEMI nss60601mz4-d.pdf Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss60601mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+22.32 грн
2000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss60601mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.81 грн
2000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss60601mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1364+23.82 грн
10000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 1364
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss60601mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1364+23.82 грн
10000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 1364
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss60601mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Виробник : ONSEMI nss60601mz4-d.pdf Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.23 грн
200+28.98 грн
500+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Виробник : onsemi nss60601mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.07 грн
10+35.82 грн
100+24.57 грн
500+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Виробник : onsemi NSS60601MZ4_D-1813874.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 16891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.65 грн
10+38.67 грн
100+24.15 грн
500+18.60 грн
1000+16.57 грн
2000+14.46 грн
5000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Виробник : ONSEMI nss60601mz4-d.pdf Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+74.94 грн
18+47.17 грн
50+39.23 грн
200+28.98 грн
500+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G Виробник : ONN nss60601mz4-d.pdf
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G Виробник : ONN nss60601mz4-d.pdf
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G Виробник : ONN nss60601mz4-d.pdf
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G Виробник : ONN nss60601mz4-d.pdf
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G Виробник : ONN nss60601mz4-d.pdf
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G Виробник : ONN nss60601mz4-d.pdf
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss60601mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.