NSS60601MZ4T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 19.05 грн |
| 2000+ | 16.86 грн |
| 3000+ | 16.10 грн |
| 5000+ | 14.30 грн |
| 7000+ | 13.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS60601MZ4T1G onsemi
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NSS60601MZ4T1G за ціною від 14.71 грн до 70.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSS60601MZ4T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS60601MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS60601MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS60601MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS60601MZ4T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS60601MZ4T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 7980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS60601MZ4T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS60601MZ4T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT) |
на замовлення 18027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS60601MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NSS60601MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |