NSS60601MZ4T1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 24.78 грн |
| 2000+ | 22.55 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS60601MZ4T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 710mW, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції NSS60601MZ4T1G за ціною від 19.36 грн до 76.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSS60601MZ4T1G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NSS60601MZ4T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NSS60601MZ4T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NSS60601MZ4T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NSS60601MZ4T1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NSS60601MZ4T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT) |
на замовлення 697 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NSS60601MZ4T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 710mW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
NSS60601MZ4T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 710mW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
NSS60601MZ4T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 710mW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NSS60601MZ4T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 2W; SOT223-4,TO261-4 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 2W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 120...360 Kind of package: reel; tape Case: SOT223-4; TO261-4 Frequency: 100MHz Collector current: 6A |
на замовлення 985 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| NSS60601MZ4T1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 24.88 грн |
| 2000+ | 22.64 грн |
| NSS60601MZ4T1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1364+ | 26.56 грн |
| 10000+ | 23.68 грн |
| NSS60601MZ4T1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1364+ | 26.56 грн |
| 10000+ | 23.68 грн |
| NSS60601MZ4T1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 36.79 грн |
| NSS60601MZ4T1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.64 грн |
| 10+ | 42.68 грн |
| 100+ | 27.79 грн |
| 500+ | 20.09 грн |
| NSS60601MZ4T1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 697 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.76 грн |
| 10+ | 47.31 грн |
| 100+ | 26.86 грн |
| 500+ | 22.01 грн |
| 1000+ | 19.36 грн |
| NSS60601MZ4T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 710mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 710mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSS60601MZ4T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 710mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 710mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSS60601MZ4T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 710mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 710mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSS60601MZ4T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 120...360
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
Frequency: 100MHz
Collector current: 6A
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 120...360
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
Frequency: 100MHz
Collector current: 6A
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 69.77 грн |
| 12+ | 35.80 грн |
| 45+ | 21.35 грн |
| 123+ | 20.18 грн |