
NSS60601MZ4T3G ON Semiconductor
на замовлення 35991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1371+ | 22.09 грн |
10000+ | 19.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS60601MZ4T3G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції NSS60601MZ4T3G за ціною від 13.84 грн до 65.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSS60601MZ4T3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 1962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSS60601MZ4T3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSS60601MZ4T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G Код товару: 173995
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
NSS60601MZ4T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NSS60601MZ4T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NSS60601MZ4T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NSS60601MZ4T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NSS60601MZ4T3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 2W; SOT223-4,TO261-4 Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: NPN Case: SOT223-4; TO261-4 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Collector current: 6A Current gain: 120...360 Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 100MHz |
товару немає в наявності |