Інші пропозиції NSS60601MZ4T3G за ціною від 22.95 грн до 71.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NSS60601MZ4T3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 35991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
NSS60601MZ4T3G | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
NSS60601MZ4T3G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN |
на замовлення 2196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
NSS60601MZ4T3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSS60601MZ4T3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1371+ | 25.74 грн |
| 10000+ | 22.95 грн |
| NSS60601MZ4T3G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.17 грн |
| 10+ | 42.70 грн |
| 100+ | 27.84 грн |
| NSS60601MZ4T3G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN
Bipolar Transistors - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NSS60601MZ4T3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





