Продукція > ONSEMI > NSS60601MZ4T3G
NSS60601MZ4T3G

NSS60601MZ4T3G onsemi

NSS60601MZ4_D-2318292.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.51 грн
13+26.48 грн
100+16.92 грн
500+14.20 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS60601MZ4T3G onsemi

Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції NSS60601MZ4T3G за ціною від 16.72 грн до 55.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS60601MZ4T3G NSS60601MZ4T3G Виробник : onsemi nss60601mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.71 грн
10+35.94 грн
100+24.66 грн
500+18.31 грн
1000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3G NSS60601MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60601mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3G
Код товару: 173995
Додати до обраних Обраний товар

nss60601mz4-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3G NSS60601MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60601mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3G NSS60601MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60601mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3G NSS60601MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60601mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3G NSS60601MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60601mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3G NSS60601MZ4T3G Виробник : onsemi nss60601mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.