Інші пропозиції NSS60601MZ4T3G за ціною від 12.63 грн до 59.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NSS60601MZ4T3G | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 1962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NSS60601MZ4T3G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN |
на замовлення 2196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NSS60601MZ4T3G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.36 грн |
| 10+ | 35.08 грн |
| 100+ | 24.07 грн |
| 500+ | 17.87 грн |
| 1000+ | 16.31 грн |
| NSS60601MZ4T3G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN
Bipolar Transistors - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.60 грн |
| 10+ | 41.68 грн |
| 100+ | 23.61 грн |
| 500+ | 18.22 грн |
| 1000+ | 16.43 грн |
| 2000+ | 15.33 грн |
| 4000+ | 12.63 грн |




