NST30010MXV6T1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 12.71 грн |
| 8000+ | 11.56 грн |
| 12000+ | 11.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NST30010MXV6T1G ON Semiconductor
Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції NST30010MXV6T1G за ціною від 8.05 грн до 62.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NST30010MXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 661mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NST30010MXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 661mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NST30010MXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 661mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NST30010MXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 661mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NST30010MXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 661mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NST30010MXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 661mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NST30010MXV6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 |
на замовлення 3627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NST30010MXV6T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT DUAL MATCHED GP XTT PNP |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NST30010MXV6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| NST30010MXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.5W; SOT563 Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP x2 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 420...800 Frequency: 100MHz Application: automotive industry Polarisation: bipolar |
товару немає в наявності |