NST3904DXV6T5G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 40V 200MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-563
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.10 грн |
| 16+ | 19.42 грн |
| 100+ | 12.28 грн |
| 500+ | 8.61 грн |
| 1000+ | 7.67 грн |
| 2000+ | 6.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NST3904DXV6T5G onsemi
Description: ONSEMI - NST3904DXV6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 357 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Verlustleistung Pd: 357mW, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 357mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 200mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції NST3904DXV6T5G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NST3904DXV6T5G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Switching NPN |
на замовлення 6320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NST3904DXV6T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST3904DXV6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 357 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Verlustleistung Pd: 357mW Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 357mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 200mA Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 62832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NST3904DXV6T5G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 6775 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NST3904DXV6T5G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Switching NPN
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Switching NPN
на замовлення 6320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NST3904DXV6T5G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NST3904DXV6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 357 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Verlustleistung Pd: 357mW
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 357mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NST3904DXV6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 357 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Verlustleistung Pd: 357mW
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 357mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 62832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NST3904DXV6T5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 6775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)