Продукція > ONSEMI > NST3904MX2T5G
NST3904MX2T5G

NST3904MX2T5G onsemi

NST3904MX-D.PDF Виробник: onsemi
Description: SS SOT883 GP XSTR NPN PBFR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 165 mW
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.07 грн
18+17.65 грн
100+8.93 грн
500+6.83 грн
1000+5.07 грн
2000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NST3904MX2T5G onsemi

Description: SS SOT883 GP XSTR NPN PBFR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6), Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 165 mW.

Інші пропозиції NST3904MX2T5G за ціною від 2.33 грн до 17.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NST3904MX2T5G Виробник : onsemi NST3904MX-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 200 mA, 40 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.40 грн
31+11.43 грн
100+6.63 грн
500+4.90 грн
1000+3.84 грн
5000+3.01 грн
8000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NST3904MX2T5G NST3904MX2T5G Виробник : onsemi NST3904MX-D.PDF Description: SS SOT883 GP XSTR NPN PBFR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 165 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.