NST3906MX2T5G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A 3X2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 165 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 3.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NST3906MX2T5G onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A 3X2DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6), Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 165 mW.
Інші пропозиції NST3906MX2T5G за ціною від 3.82 грн до 19.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NST3906MX2T5G | onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A 3X2DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 165 mW |
на замовлення 8177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NST3906MX2T5G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200 mA, 40 V, PNP Bipolar Transistor in SOT-883 |
на замовлення 2571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NST3906MX2T5G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A 3X2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 165 mW
Description: TRANS PNP 40V 0.2A 3X2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 165 mW
на замовлення 8177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.60 грн |
| 27+ | 11.32 грн |
| 100+ | 7.06 грн |
| 500+ | 4.87 грн |
| 1000+ | 4.30 грн |
| 2000+ | 3.82 грн |
| NST3906MX2T5G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200 mA, 40 V, PNP Bipolar Transistor in SOT-883
Bipolar Transistors - BJT 200 mA, 40 V, PNP Bipolar Transistor in SOT-883
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)