NST4617MX2T5G onsemi
Виробник: onsemi
Description: SS SOT883 GP XSTR 120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 112MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 166 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 4.07 грн |
| 16000+ | 3.39 грн |
| 24000+ | 3.33 грн |
| 56000+ | 2.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NST4617MX2T5G onsemi
Description: SS SOT883 GP XSTR 120V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 112MHz, Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 166 mW.
Інші пропозиції NST4617MX2T5G за ціною від 3.85 грн до 23.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NST4617MX2T5G | onsemi |
Description: SS SOT883 GP XSTR 120V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 112MHz Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 166 mW |
на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NST4617MX2T5G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100 mA, 50 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 50 V |
на замовлення 7612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NST4617MX2T5G |
|
Виробник: onsemi
Description: SS SOT883 GP XSTR 120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 112MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 166 mW
Description: SS SOT883 GP XSTR 120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 112MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 166 mW
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 23.86 грн |
| 19+ | 15.94 грн |
| 100+ | 8.05 грн |
| 500+ | 6.16 грн |
| 1000+ | 4.57 грн |
| 2000+ | 3.85 грн |
| NST4617MX2T5G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100 mA, 50 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 50 V
Bipolar Transistors - BJT 100 mA, 50 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 50 V
на замовлення 7612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)