Продукція > ONSEMI > NST65010MW6T1G
NST65010MW6T1G

NST65010MW6T1G ONSEMI

ONSM-S-A0013749973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.57 грн
500+6.31 грн
1500+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NST65010MW6T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NST65010MW6T1G за ціною від 4.13 грн до 34.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G Виробник : onsemi nst65010mw6-d.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.36 грн
22+14.10 грн
100+8.88 грн
500+6.19 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G Виробник : onsemi nst65010mw6-d.pdf Bipolar Transistors - BJT Dual Matched PNP Tra
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.88 грн
15+21.65 грн
100+10.66 грн
500+7.20 грн
1000+5.54 грн
3000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G Виробник : ON Semiconductor nst65010mw6-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+34.27 грн
37+20.21 грн
39+19.14 грн
100+7.86 грн
250+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G Виробник : ONSEMI nst65010mw6-d.pdf Description: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G Виробник : ON Semiconductor nst65010mw6-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G Виробник : ON Semiconductor nst65010mw6-d.pdf
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G Виробник : ON Semiconductor nst65010mw6-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G Виробник : onsemi nst65010mw6-d.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.