Продукція > ONSEMI > NST65010MW6T1G
NST65010MW6T1G

NST65010MW6T1G onsemi

nst65010mw6-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.09 грн
22+13.93 грн
100+8.78 грн
500+6.12 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NST65010MW6T1G onsemi

Description: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NST65010MW6T1G за ціною від 4.18 грн до 34.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G ON Semiconductor nst65010mw6-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.65 грн
37+20.44 грн
39+19.36 грн
100+7.95 грн
250+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G onsemi nst65010mw6-d.pdf Bipolar Transistors - BJT Dual Matched PNP Tra
на замовлення 15147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G ONSEMI nst65010mw6-d.pdf Description: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G ONSEMI ONSM-S-A0013749973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G ON Semiconductor nst65010mw6-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G ON Semiconductor nst65010mw6-d.pdf
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G nst65010mw6-d.pdf
NST65010MW6T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+34.65 грн
37+20.44 грн
39+19.36 грн
100+7.95 грн
250+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G nst65010mw6-d.pdf
NST65010MW6T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Dual Matched PNP Tra
на замовлення 15147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G nst65010mw6-d.pdf
NST65010MW6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G ONSM-S-A0013749973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NST65010MW6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G nst65010mw6-d.pdf
NST65010MW6T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST65010MW6T1G nst65010mw6-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.