NST65010MW6T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NST65010MW6T1G onsemi
Description: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NST65010MW6T1G за ціною від 3.36 грн до 27.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NST65010MW6T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NST65010MW6T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT Dual Matched PNP Tra |
на замовлення 33678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NST65010MW6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 8578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NST65010MW6T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NST65010MW6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NST65010MW6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NST65010MW6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1689 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NST65010MW6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NST65010MW6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |