NST65011MW6T1G

NST65011MW6T1G ON Semiconductor


nst65011mw6-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 117000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NST65011MW6T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NST65011MW6T1G за ціною від 3.94 грн до 30.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G Виробник : ON Semiconductor nst65011mw6-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2187+5.70 грн
2210+5.64 грн
2277+5.48 грн
2348+5.12 грн
3000+4.60 грн
6000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 2187
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G Виробник : onsemi nst65011mw6-d.pdf Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.59 грн
6000+5.75 грн
9000+5.44 грн
15000+4.79 грн
21000+4.60 грн
30000+4.41 грн
75000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G Виробник : ON Semiconductor nst65011mw6-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 35104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4546+6.86 грн
10000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 4546
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G Виробник : ON Semiconductor nst65011mw6-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 34300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4546+6.86 грн
10000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 4546
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.41 грн
500+7.75 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G Виробник : ON Semiconductor nst65011mw6-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+17.31 грн
70+10.19 грн
117+5.89 грн
250+5.40 грн
500+5.03 грн
1000+4.88 грн
3000+4.73 грн
6000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G Виробник : onsemi NST65011MW6-D.PDF Bipolar Transistors - BJT Dual MatchedNPN Tra
на замовлення 10972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.50 грн
22+16.26 грн
100+8.29 грн
500+6.69 грн
1000+6.08 грн
3000+5.40 грн
6000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G Виробник : ONSEMI nst65011mw6-d.pdf Description: ONSEMI - NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.42 грн
49+17.65 грн
100+10.41 грн
500+7.75 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G Виробник : onsemi nst65011mw6-d.pdf Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 123419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.43 грн
18+17.90 грн
100+11.32 грн
500+7.93 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1G Виробник : ON Semiconductor nst65011mw6-d.pdf
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G Виробник : ON Semiconductor nst65011mw6-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G Виробник : ON Semiconductor nst65011mw6-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NST65011MW6T1G Виробник : ONSEMI nst65011mw6-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.