NST65011MW6T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NST65011MW6T1G onsemi
Description: ONSEMI - NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NST65011MW6T1G за ціною від 5.45 грн до 33.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NST65011MW6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 11896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NST65011MW6T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NST65011MW6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 6969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NST65011MW6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 11896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NST65011MW6T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT Dual MatchedNPN Tra |
на замовлення 11311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NST65011MW6T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| NST65011MW6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
NST65011MW6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
NST65011MW6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |