NST846BMX2T5G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 225 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.85 грн |
| 18+ | 16.98 грн |
| 100+ | 8.58 грн |
| 500+ | 6.57 грн |
| 1000+ | 4.87 грн |
| 2000+ | 4.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NST846BMX2T5G onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A 3X2DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0402 (1006 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції NST846BMX2T5G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NST846BMX2T5G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100 mA, 65 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 65 V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NST846BMX2T5G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100 mA, 65 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 65 V
Bipolar Transistors - BJT 100 mA, 65 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 65 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)