Продукція > ONSEMI > NST846BMX2T5G
NST846BMX2T5G

NST846BMX2T5G onsemi


Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 7682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.86 грн
18+ 15.62 грн
100+ 7.89 грн
500+ 6.04 грн
1000+ 4.48 грн
2000+ 3.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NST846BMX2T5G onsemi

Description: TRANS NPN 65V 0.1A 3X2DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0402 (1006 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 225 mW.

Інші пропозиції NST846BMX2T5G за ціною від 2.91 грн до 24.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NST846BMX2T5G Виробник : onsemi NST846BMX2_D-3150436.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT883 GP XSTR NPN 65V
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.35 грн
19+ 16.86 грн
100+ 6.08 грн
1000+ 3.83 грн
2500+ 3.63 грн
8000+ 3.04 грн
24000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
NST846BMX2T5G NST846BMX2T5G Виробник : onsemi Description: TRANS NPN 65V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 225 mW
товар відсутній