Продукція > ONSEMI > NST847AMX2T5G

NST847AMX2T5G onsemi


nst846bmx2-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 6338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.82 грн
27+11.68 грн
100+7.29 грн
500+5.03 грн
1000+4.44 грн
2000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NST847AMX2T5G onsemi

Description: TRANS NPN 45V 0.1A 3X2DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0402 (1006 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 225 mW.

Інші пропозиції NST847AMX2T5G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NST847AMX2T5G onsemi nst846bmx2-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100 mA, 45 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 45 V
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST847AMX2T5G nst846bmx2-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100 mA, 45 V, NPN Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 45 V
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.