Продукція > ONSEMI > NST856MTWFTBG
NST856MTWFTBG

NST856MTWFTBG ONSEMI

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: XDFNW
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.10 грн
500+11.21 грн
1000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NST856MTWFTBG ONSEMI

Description: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: XDFNW, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NST856MTWFTBG за ціною від 5.96 грн до 40.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NST856MTWFTBG NST856MTWFTBG Виробник : onsemi NST856MTWFT_D-3538031.pdf Bipolar Transistors - BJT DUAL 65V/100MA, NPN & PNP BIPOLAR TRANSISTORS, XDFNW3
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.08 грн
15+24.50 грн
100+13.51 грн
500+10.15 грн
1000+9.09 грн
3000+7.71 грн
9000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NST856MTWFTBG NST856MTWFTBG Виробник : ONSEMI Description: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: XDFNW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.85 грн
34+25.35 грн
100+16.10 грн
500+11.21 грн
1000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.