Продукція > ONSEMI > NST856MTWFTBG
NST856MTWFTBG

NST856MTWFTBG ONSEMI

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: XDFNW
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.18 грн
500+11.27 грн
1000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NST856MTWFTBG ONSEMI

Description: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: XDFNW, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NST856MTWFTBG за ціною від 6.83 грн до 41.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NST856MTWFTBG NST856MTWFTBG Виробник : onsemi NST856MTWFT-D.PDF Bipolar Transistors - BJT DUAL 65V/100MA, NPN & PNP BIPOLAR TRANSISTORS, XDFNW3
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+39.30 грн
16+23.47 грн
100+13.27 грн
500+9.74 грн
1000+8.90 грн
3000+7.52 грн
6000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NST856MTWFTBG NST856MTWFTBG Виробник : ONSEMI Description: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: XDFNW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.06 грн
34+25.48 грн
100+16.18 грн
500+11.27 грн
1000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.