Продукція > ONSEMI > NST857BDP6T5G
NST857BDP6T5G

NST857BDP6T5G onsemi

nst857bdp6-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+5.64 грн
16000+4.97 грн
24000+4.73 грн
40000+4.19 грн
56000+4.05 грн
80000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NST857BDP6T5G onsemi

Description: ONSEMI - NST857BDP6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, Verlustleistung, PNP: 280mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: SOT-963, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NST857BDP6T5G за ціною від 4.49 грн до 34.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NST857BDP6T5G NST857BDP6T5G Виробник : onsemi NST857BDP6_D-2318578.pdf Bipolar Transistors - BJT DUAL PNP GP TRANS SOT-963
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.54 грн
24+14.38 грн
100+6.77 грн
1000+5.59 грн
2500+5.44 грн
8000+4.86 грн
24000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BDP6T5G NST857BDP6T5G Виробник : onsemi nst857bdp6-d.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 87790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
18+17.78 грн
100+11.20 грн
500+7.83 грн
1000+6.96 грн
2000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BDP6T5G NST857BDP6T5G Виробник : ONSEMI 2337998.pdf Description: ONSEMI - NST857BDP6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 280mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.50 грн
35+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BDP6T5G NST857BDP6T5G Виробник : ONSEMI 2337998.pdf Description: ONSEMI - NST857BDP6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
Verlustleistung, PNP: 280mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BDP6T5G Виробник : ON Semiconductor nst857bdp6-d.pdf
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BDP6T5G NST857BDP6T5G Виробник : ON Semiconductor nst857bdp6-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 420mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.