NST857BDP6T5G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 5.79 грн |
| 16000+ | 5.10 грн |
| 24000+ | 4.86 грн |
| 40000+ | 4.30 грн |
| 56000+ | 4.15 грн |
| 80000+ | 4.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NST857BDP6T5G onsemi
Description: ONSEMI - NST857BDP6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 280mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: SOT-963, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NST857BDP6T5G за ціною від 3.92 грн до 31.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NST857BDP6T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST857BDP6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 280mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NST857BDP6T5G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT DUAL PNP GP TRANS SOT-963 |
на замовлення 7127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NST857BDP6T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-963 |
на замовлення 87790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NST857BDP6T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST857BDP6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 280mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-963 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NST857BDP6T5G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 5890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
NST857BDP6T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 420mW 6-Pin SOT-963 T/R |
товару немає в наявності |